[发明专利]新型毫米波Ga2在审

专利信息
申请号: 202010363712.5 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111509051A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 安国雨;张志国;刘育青;郭黛翡;张洋阳 申请(专利权)人: 北京国联万众半导体科技有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/24;H01L29/06
代理公司: 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 代理人: 王占华
地址: 101399 北京市顺义*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种新型毫米波Ga2O3肖特基二极管,涉及电子元器件技术领域。包括衬底层,所述衬底层的上表面形成有缓冲层,缓冲层的上表面形成有钝化层,钝化层的一侧形成有阴极重掺杂Ga2O3层,所述钝化层的另一侧形成有阳极重掺杂Ga2O3层,所述阴极欧姆接触层的上表面形成有阴极金属加厚层,阴极低掺杂Ga2O3层的上表面形成有肖特基接触金属层;第二凹槽内形成有阳极欧姆接触层,第二凸台上形成有阳极低掺杂Ga2O3层,阳极欧姆接触层的上表面形成有阳极金属加厚层,阳极低掺杂Ga2O3层的上表面形成有阳极二氧化硅层,阳极金属加厚层与所述肖特基接触金属层之间通过金属空气桥进行连接。所述二极管具有击穿电压高,工作频段高等优点。
搜索关键词: 新型 毫米波 ga base sub
【主权项】:
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