[发明专利]NJFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010365832.9 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111653624A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张忆;苏贵东;汪强;刘文军;陈竹江;刘欢 | 申请（专利权）人： | 成都环宇芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337;H01L21/8238;H01L27/098 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | NJFET器件及制备方法，涉及半导体技术，本发明的NJFET器件包括P衬底、隔离介质、N外延区、P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区、栅区、二氧化硅氧化层，其特征在于，还包括P阱，所述P型埋层、深磷注入区、源区、漏区、沟道区和栅区嵌入P阱。本发明可以使现有P衬底N外延SOI互补双极工艺支持NJFET器件，使得该工艺可以同时包含PJFET和NJFET器件两种互补的JFET器件。 | ||
| 搜索关键词： | njfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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