[发明专利]一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202010366300.7 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111524862B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 王亮;石浩;吴军民;金锐;张朋;唐新灵;林仲康;周扬 申请(专利权)人: 全球能源互联网研究院有限公司
主分类号: H01L23/047 分类号: H01L23/047;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 宋傲男
地址: 102209 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种芯片封装电极及其制备方法和芯片封装结构。该芯片封装电极,包括:电极板以及在所述电极板上层叠设置的第一钼铜合金层、弹性层和第二钼铜合金层,其中,所述第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中钼的质量百分比沿背离所述电极板的方向上均逐渐增大,所述弹性层由铜和弹性体形成的复合材料制成。第一钼铜合金层和第二钼铜合金层中,铜保证该电极具有优良的导电性能,由于钼的热膨胀系数与芯片更匹配,从而降低了热膨胀系数不匹配对电极或芯片所造成的损害;弹性层中,铜保证了电极的导电性能,弹性体的添加增加了电极的弹性,进一步降低了对芯片的机械损伤风险。上述封装电极结构紧凑,电极与芯片距离适宜,保证了芯片的良好散热。
搜索关键词: 一种 芯片 封装 电极 及其 制备 方法 结构
【主权项】:
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