[发明专利]一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池

摘要

本发明公开了一种以非晶氧化硅薄膜为本征钝化层的异质结太阳电池，其特征在于，包括在n型单晶硅片的正表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、p型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极，在n型单晶硅片的背表面依次形成的非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜层、n型氢化非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和金属栅线电极。本发明通过以非化学计量氢化非晶氧化硅薄膜作为异质结太阳电池的本征钝化层，对晶硅表面具有优良的钝化效果，从而减少界面载流子复合，提高异质结电池转换效率。