[发明专利]一种BOX形氮化硅波导及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010370812.0 申请日: 2020-05-06
公开(公告)号: CN111522094B 公开(公告)日: 2021-01-19
发明(设计)人: 周章渝;肖寒;孙健;代天军;陈雨青;彭晓珊;王代强;张青竹;宁江华;张子砚 申请(专利权)人: 贵阳学院
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 张雪
地址: 550005 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种BOX形氮化硅波导及其制备方法,属于光学材料技术领域,该方法包括:在半导体衬底上依次形成第一包覆层、第一牺牲层以及第二牺牲层;刻蚀第一牺牲层和第二牺牲层,去除第二牺牲层,形成条形槽;生长氮化硅材料,一部分生长在条形槽内,一部分覆盖在第一牺牲层上,表面平坦化,形成BOX氮化硅槽;生长第二包覆层,一部分填充满BOX氮化硅槽,一部分覆盖在第一牺牲层上,表面平坦化,形成光滑表面;生长氮化硅材料,覆盖光滑表面;刻蚀BOX氮化硅槽外的氮化硅材料,形成BOX氮化硅波导,刻蚀第一牺牲层;在第一包覆层和BOX氮化硅波导上生长第三包覆层,解决了传统工艺直接刻蚀介质材料SiO2垂直度不高的问题。
搜索关键词: 一种 box 氮化 波导 及其 制备 方法
【主权项】:
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