[发明专利]具有多分支栅极接触结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202010371495.4 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111900204A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | M.曾德尔;S.米斯林格;T.奥斯特曼;A.C.G.伍德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据半导体器件的实施例，该半导体器件包括：第一有源单元区，其包括第一多个平行栅极沟槽；第二有源单元区，其包括第二多个平行栅极沟槽；以及在第一和第二有源单元区上方的金属化层。金属化层包括：第一部分，其与第一和第二有源单元区中的多个平行栅极沟槽之间的半导体台面区接触；以及围绕第一部分的第二部分。金属化层的第二部分沿第一方向接触第一多个栅极沟槽，并沿不同于第一方向的第二方向接触第二多个栅极沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分支 栅极 接触 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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