[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010371506.9 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111900146A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | G.纳鲍尔;F.加泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02;G01R19/00;G01R19/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。在实施例中，提供半导体器件，其包括具有负载路径的主晶体管、用于感测在主晶体管的负载路径中流动的主电流的感测晶体管、以及用于保护感测晶体管的至少一个旁路二极管结构。所述至少一个旁路二极管结构与感测晶体管并联电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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