[发明专利]使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法在审
| 申请号： | 202010372353.X | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111522208A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王勇;谢自力;潘巍巍;黄愉;彭伟 | 申请（专利权）人： | 南京南大光电工程研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210046 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用正胶做掩膜进行的金属薄膜剥离的方法。在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光、镀金属、剥离，剥离是：在基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除。最后将基片置于有机溶剂中，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。本发明采用传统正胶，在光刻机中使用正胶正常曝光的能量和曝光时间进行整面泛曝光，再进行镀膜。正胶经过泛曝光之后，光刻胶交联被改变，粘附性降低，分子间发生断链反应，使胶的表面出现针孔，从而使得金属薄膜与正胶的表面黏附性变差，用蓝膜可以直接撕掉底部有胶的金属层，克服了正胶显影后角度为直角或者接近直角金属不易抬离的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 正胶做掩膜 进行 金属 薄膜 剥离 方法 | ||
【主权项】：
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