[发明专利]一种提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法有效
| 申请号： | 202010372412.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111653486B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王斌;贺贤汉;孙泉;周轶靓;葛荘;欧阳鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 224200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，包括如下步骤：A极冷处理阶段：将图形化工艺后的覆铜陶瓷基板产品，除杂后置于‑55℃～‑75℃温度环境下2min‑3min；B缓慢升温阶段：升温速率为0.4～0.8℃/min，升温至20℃±5℃，用时2‑3h，使得覆铜陶瓷基板产品温度提升；C，室温处理阶段：将覆铜陶瓷基板产品置于20℃±5℃温度环境下2min‑3min；D，将步骤C中的产品再依次置于步骤A、B、C环境中，循环操作3‑10次。本发明中的提高覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法操作简单、适用性广，通过实验对比，通过本发明方法处理后的覆铜陶瓷基板抗冷热冲击性能提高50％。同时，本发明的处理方法还可与现有工艺适配，复合增强覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 陶瓷 冷热 冲击 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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