[发明专利]一种抗反射的微纳结构材料的制备方法在审
申请号: | 202010372629.4 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN113707753A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 吴立志;张文豪;沈瑞琪 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0236;C30B33/10;B81C1/00 |
代理公司: | 南京德铭知识产权代理事务所(普通合伙) 32362 | 代理人: | 奚鎏 |
地址: | 210094 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明提供了一种抗反射的微纳结构材料的制备方法,包括以下步骤:步骤1,对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理;步骤2,对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层;步骤3,对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒,在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列;步骤4,采用磁控溅射技术在步骤3中制绒的单晶硅片表面上沉积一层银膜,厚度12~16nm;步骤5,将步骤4中的沉积银膜的硅片置于H |
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搜索关键词: | 一种 反射 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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