[发明专利]一种半导体芯片堆叠封装及其形成方法在审
| 申请号： | 202010372681.X | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111524817A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 赵慧 | 申请（专利权）人： | 苏州容思恒辉智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 215011 江苏省苏州市高新区竹*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体芯片堆叠及其制备方法，该方法包括以下步骤：将第一半导体芯片倒装安装在封装基板上；在所述第一半导体芯片上依次形成第一聚醚酰亚胺封装层、第一镍纳米线网格层、第二聚醚酰亚胺封装层、第二镍纳米线网格层以及第三聚醚酰亚胺封装层，接着在所述封装基板上形成第一塑封层、重布线层以及第二半导体芯片，在所述第二半导体芯片上依次形成第四聚醚酰亚胺封装层、第三镍纳米线网格层、第五聚醚酰亚胺封装层、第四镍纳米线网格层以及第六聚醚酰亚胺封装层，接着在所述重布线层上形成第二塑封层，使得所述第二塑封层完全包裹第二半导体芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 堆叠 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州容思恒辉智能科技有限公司，未经苏州容思恒辉智能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010372681.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
