[发明专利]应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010373804.1 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111554640A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/492 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201407 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构，包括硅层和设置在所述硅层上表面上的上电极以及设置在所述硅层下表面上的下电极，所述上电极的一部分与所述硅层直接连接，上电极的另一部分与所述硅层之间设置有介质层，相邻的上电极之间通过钝化层隔离开来；所述上电极包括压焊盘Al层，其特征在于，在所述压焊盘Al层上化镀有NiAu层或者NiPdAu层,所述下电极最外层为纯铜层或者铜基合金层。本发明还公开了上述应用于埋入式基板封装的功率半导体芯片电极结构的制备方法。本发明解决了现有技术所存在的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 埋入 式基板 封装 功率 半导体 芯片 电极 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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