[发明专利]电阻式存储器装置在审
申请号: | 202010376435.1 | 申请日: | 2020-05-07 |
公开(公告)号: | CN113629098A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 吴长轩 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;G11C13/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施方式提供一种电阻式存储器装置。电阻式存储器装置包括衬底、隔离结构、字线、源极线、位线及电阻式存储器。衬底包括主体区、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区,第一掺杂区与第二掺杂区由主体区隔开。隔离结构配置于衬底中,且第二掺杂区与第三掺杂区由隔离结构隔开。字线配置于衬底上,第一掺杂区与第二掺杂区位于字线的相对两侧,且第一掺杂区与第三掺杂区位于字线的相对两侧。源极线配置于衬底上且与第一掺杂区电性连接。位线配置于衬底上。电阻式存储器配置于衬底上,且第三掺杂区经由电阻式存储器电性连接于位线。所述电阻式存储器装置可在具有一个单一的晶体管同时连接多个存储器的结构的情况下,避免产生潜泄漏电流。 | ||
搜索关键词: | 电阻 存储器 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司,未经华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010376435.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的