[发明专利]基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用有效
| 申请号： | 202010377063.4 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111640874B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何涛;陶绪堂 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/56;H01L51/42;H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于n‑型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用。其修复方法为：采用掺杂剂对将n‑型有机半导体晶体进行化学掺杂，所述掺杂剂为有机胺，所述有机胺的化学结构式如下： |
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| 搜索关键词： | 基于 有机半导体 晶体 表面 台阶 缺陷 修复 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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