[发明专利]功率半导体装置在审
| 申请号： | 202010378086.7 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111916447A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李珠焕;朴泰泳;尹成晥 | 申请（专利权）人： | 奥特润株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁小龙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体装置。根据本发明的实施方式的功率半导体装置，包括：半导体层，其包括主单元区域、传感器区域以及在主单元区域和传感器区域之间的绝缘区域；设置在主单元区域上的多个功率半导体晶体管；设置在传感器区域上的多个电流传感器晶体管；以及保护电阻层，跨绝缘区域设置在半导体层上，从而多个功率半导体晶体管的至少一部分和多个电流传感器晶体管的至少一部分在异常操作条件下彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
