[发明专利]内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 202010378923.6 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111653618B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 何进;何箫梦;李春来;胡国庆;魏益群 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南昌丰择知识产权代理事务所(普通合伙) 36137 | 代理人： | 刘小平 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式，可以提高EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布，从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管，当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能，这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ‑高电子迁移率晶体管结构晶体管，导通电阻为15.37Ωmm，功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm‑2。与没有内置PN结的晶体管相比，新器件EJ‑高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54％，功率半导体器件基础品质因数提高了71.3％,而两者的导通电阻相差不大。 | ||
| 搜索关键词： | 内置 pn 结硅基 高压 增强 氮化 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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