[发明专利]磁存储用磁性复合膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010379882.2 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN111519152A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 沈文齐;王文爽 申请(专利权)人: 蚌埠泰鑫材料技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/16;G11B5/851;G11B5/72
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 汤文旋
地址: 233000 安徽省蚌埠市蚌山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种磁存储用磁性复合膜及其制备方法:该磁性复合膜以非磁性硅晶片为衬底,在其表面依次设置软磁层、合金硬磁层、钡铁氧体硬磁层;所述合金硬磁层为具有垂直磁各向异性的[FePt/FeCo]N复合膜层,N为周期数,取2~5之间的自然数,其中,FePt合金层中Fe、Pt的摩尔比为1:(0.5~1.1),FeCo合金层中Fe、Co的摩尔比为1:(1~1.5)。本发明利用BaFe12O19硬磁层作为[FePt/FeCo]N合金硬磁层的保护膜,防氧化、热稳定性高、耐磨性良好,同时,BaFe12O19硬磁层和[FePt/FeCo]N硬磁层均为垂直磁记录材料,层间耦合,产生界面垂直磁各向异性,形成磁隧道结,进一步提高存储密度,避免了传统金属保护膜造成的消磁、退磁现象。
搜索关键词: 存储 磁性 复合 及其 制备 方法
【主权项】:
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