[发明专利]具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202010381391.1 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111545161B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 夏令;黄吴吉;王涵;杨浪;宋少先 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | B01J20/06 | 分类号： | B01J20/06;C01G39/06;C02F1/28;B01J20/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人： | 刘琳;冯超 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料的制备方法及其应用；该方法将四水合钼酸铵和硫脲溶于水中，得到混合物；将混合物加入反应釜中，在温度为200～250℃下水热反应12～24h；得到黑色沉淀物；黑色沉淀物去离子水洗涤，真空干燥，最后在温度为300～350℃的空气条件下煅烧1.5～2.5h；得到具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料。本发明制备的具有缺陷的氧掺杂二硫化钼材料作为吸附剂，用于吸附亚甲基蓝，缺陷与氧掺杂存在协同作用，相比单一的缺陷、氧掺杂二硫化钼，吸附量大幅度提高，且吸附速率快。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缺陷 掺杂 二硫化钼 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010381391.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无耳带粘贴式口罩
- 下一篇：一种带细长孔的钨铜合金制备方法
