[发明专利]一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法在审
| 申请号： | 202010384034.0 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111613522A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 甘雪涛;毛博 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成的方法，将过渡金属前驱物放置在石英舟内，硅或氮化硅基底的微纳光子器件放置在石英舟上；将硫族元素前驱物置于管式炉石英管内。通过利用化学气相沉积法在微纳光子器件上直接生长过渡金属硫族化合物，可将过渡金属硫族化合物与微纳光子器件集成，且材料层数可控，光学和电学特性良好。该方法极大地优化了工艺流程，节省了工艺成本，适合于规模化生产集成有过渡金属硫族化合物的微纳光子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属 化合物 光子 器件 集成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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