[发明专利]一种制作静电放电保护器件的方法及静电放电保护器件在审
| 申请号： | 202010385238.6 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111430305A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 庄翔;张超 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/02;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘亚飞 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制作静电放电保护器件的方法及静电放电保护器件，包括：在半导体衬底的正面外延生长半导体外延层；在半导体外延层内通过预设工艺流程同时形成第一阱区以及第二阱区并进行高温退火；在第一阱区及第三阱区内通过预设工艺流程分别形成第一掺杂区和第二掺杂区并进行高温退火；在退火后形成的层间介质层上，通过预设工艺流程形成掺杂区接触孔；在掺杂区接触孔溅射金属形成第一电极以及第二电极；通过塑封芯片级封装工艺，在第一电极及第二电极上方分别形成第一金属柱和第二金属柱，以及，在第一金属柱及第二金属柱上方分别形成第一金属凸点和第二金属凸点；减薄半导体衬底的背面、塑封形成六面包封。可以提高浪涌保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 静电 放电 保护 器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于捷捷半导体有限公司，未经捷捷半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010385238.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
