[发明专利]一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法有效
| 申请号： | 202010385562.8 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111541853B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 冯婕;李豫东;文林;周东;郭旗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | H04N5/361 | 分类号： | H04N5/361;H04N5/374;H04N17/00 |
| 代理公司： | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) 65106 | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，在暗场条件下，选定积分时间，利用经过辐照后的图像传感器获取暗场图像并保存，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，再改变积分时间，最后画出暗场下各通道的曲线，该曲线拟合直线的斜率除以图像传感器的转换增益即分别为各通道的暗电流。本发明操作方便简单，可以直观的看出辐照引起器件各通道暗电流退化的情况。从而为大面阵彩色CMOS图像传感器在空间应用时的抗辐射设计提供理论依据和技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 通道 分离 大面 彩色 cmos 图像传感器 辐照 电流 评估 方法 | ||
【主权项】：
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