[发明专利]垂直场效应晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010385780.1 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111916499A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宋昇炫;孙昌佑;郑荣采;洪思焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种垂直场效应晶体管(VFET)器件及其制造方法。该VFET器件包括：鳍结构，形成在衬底上；栅极结构，包括形成在鳍结构的侧壁的上部上的栅极电介质层以及形成在栅极电介质层的下部上的导体层；顶部源极/漏极(S/D)区，形成在鳍结构和栅极结构之上；底部S/D区，形成在鳍结构和栅极结构之下；顶部间隔物，形成在栅极电介质层的上部上，并在顶部S/D区与导体层的顶表面之间；以及底部间隔物，形成在栅极结构与底部S/D区之间。栅极电介质层的顶表面定位在与顶部间隔物的顶表面相同或基本上相同的高度处、或者定位为低于顶部间隔物的顶表面，并高于导体层的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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