[发明专利]可控硅型静电放电器件及集成电路在审
| 申请号： | 202010386741.3 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111446242A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 胡涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种可控硅型静电放电器件及集成电路，该可控硅型静电放电器件以传统LDMOS‑SCR器件为基础，将漏端的N阱区拆分为与该N阱区中的第二P掺杂区和第二N掺杂区相匹配的第一N阱区和第二N阱区，提高了N阱区的寄生电阻，使其在ESD放电电流下的压降提升更快，使寄生PNP管的开启速度更快，提高可控硅型静电放电器件的开启速度，提高了静电放电保护水平。该集成电路包括该可控硅型静电放电器件。本发明的可控硅型静电放电器件的结构改进简易，在无工艺成本增加的情况下提升了的可控硅型静电放电器件的开启速度，提升了静电放电防护水平。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 静电 放电 器件 集成电路 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
