[发明专利]一种宽频低涡流损耗的人工导体有效

专利信息
申请号: 202010390086.9 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN111554463B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 白飞明;黄铭贤;金立川;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01F1/00 分类号: H01F1/00;H01F1/147;H01L23/66;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种宽频低涡流损耗的人工导体,属于射频器件及集成电路技术领域。所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)n的周期性多层膜结构,其中,第1~n/2层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料A,第(n/2+1)~n层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料B。本发明通过采用两种不同的铁磁材料作为铁磁薄膜层,形成非对称的结构,使得该人工导体可以在较宽的频带范围内获得涡流损耗的抑制。本发明人工导体考虑了在较低频率下抑制涡流损耗的同时,还能够在更宽频带范围内有涡流抑制效果,解决了低频补偿下抑制频带窄的问题,在射频器件及集成电路中具有很大的应用前景。
搜索关键词: 一种 宽频 涡流 损耗 人工 导体
【主权项】:
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