[发明专利]一种陶瓷衬底的高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010390662.X | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN111647874B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 魏秋平;马莉;周科朝;王立峰;王宝峰;施海平 | 申请(专利权)人: | 南京岱蒙特科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/56;C23C16/02;C02F1/467;C02F1/461;C02F101/30 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 钟丹;魏娟 |
地址: | 210000 江苏省南京市六*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种陶瓷衬底的高比表面积硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用,所述硼掺杂金刚石电极包括陶瓷衬底以及设置于陶瓷衬底表面的硼掺杂金刚石层,所述硼掺杂金刚石层,由下至上,依次包括硼含量依次减少的硼掺杂金刚石底层、硼掺杂金刚石过渡层、硼掺杂金刚石外层。相对于金属材料,陶瓷材料具有更低的热膨胀系数和热稳定性,因此在其表面设置硼掺杂金刚石层,可以具有极佳的结合性能,然而陶瓷材料大多数导电性不足,本发明中在陶瓷衬底表面设置硼含量梯度减少的硼掺杂金刚石层,在与衬底接触的最底层硼含量最高,导电性最强,从而可以赋予陶瓷材料较高的导电性,拓宽陶瓷材料在BDD衬底材料领域的应用范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 衬底 表面积 掺杂 金刚石 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京岱蒙特科技有限公司,未经南京岱蒙特科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010390662.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维点云中物体抓取位姿检测方法
- 下一篇:列控工程数据表的自动生成系统
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的