[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 202010391278.1 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN112086853A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 范纯圣;林蔚峰 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;G03B21/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请案涉及半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包含:衬底,其具有从所述衬底的顶部表面朝向与所述顶部表面相对的所述衬底的底部表面凹入的腔,其中所述腔具有侧壁及底部表面,且所述腔的所述底部表面基本上平行于所述衬底的所述顶部表面;光源结构,其在所述腔中,且所述光源结构从所述光源结构的侧壁发射光;及衍射光学元件DOE,其在所述衬底的所述顶部表面上方;其中所述腔的所述侧壁是倾斜表面,使得当所述光入射于所述侧壁上时,所述倾斜表面反射所述入射光以朝向所述DOE产生经反射光。还揭示相关联半导体结构及制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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