[发明专利]氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202010391485.7 申请日: 2020-05-11
公开(公告)号: CN111547760B 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 刘益春;付申成;李宁;张昕彤 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26;G11B7/243;G11B7/0065;C01G9/02;B82Y40/00;C03C17/00;C23C18/14;C23C18/08
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 宁晓丹
地址: 130024 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法及应用涉及全息存储技术领域,解决了不具备简单快速的制备银纳米棒的方法的问题,步骤包括:制备ZnO纳米线;制备浓度为0.14~0.16mol/L的AgNO3溶液;将ZnO纳米线避光浸泡在AgNO3溶液中,待ZnO纳米线表面吸附Ag+后通过光照还原Ag+直至ZnO纳米线表面生长出银纳米棒。所制备的银纳米棒能够作为全息存储材料的应用,填补了全息存储领域的空白。本发明的制备方法实现了ZnO纳米线表面银纳米棒的成功制备,得到了规则的、稳定的、取向特征明显、不易变形的银纳米棒,实现了在银/ZnO纳米线体系且不引入其他物质的前提下实现全息存储。且制备方法简单、快速、成本低、光源选择简单、利于实际应用。
搜索关键词: 氧化物 衬底 原位 生长 纳米 制备 方法 应用
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