[发明专利]氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法及应用有效
申请号: | 202010391485.7 | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN111547760B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 刘益春;付申成;李宁;张昕彤 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | G11B7/26 | 分类号: | G11B7/26;G11B7/243;G11B7/0065;C01G9/02;B82Y40/00;C03C17/00;C23C18/14;C23C18/08 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 宁晓丹 |
地址: | 130024 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
氧化物衬底原位生长银纳米棒的制备方法及应用涉及全息存储技术领域,解决了不具备简单快速的制备银纳米棒的方法的问题,步骤包括:制备ZnO纳米线;制备浓度为0.14~0.16mol/L的AgNO |
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搜索关键词: | 氧化物 衬底 原位 生长 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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