[发明专利]一种硅片边缘剥离方法及硅片在审
| 申请号： | 202010392779.1 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111540676A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 衡鹏;徐鹏;文英熙 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片边缘剥离方法及硅片，所述方法包括：对硅片背面的氧化层进行边缘剥离；对边缘剥离后的硅片的正面进行亲水性处理。根据本发明实施例的硅片边缘剥离方法，通过在边缘剥离工艺中进行边缘剥离后增加亲水性处理步骤，可以在边缘剥离工艺后直接得到具有亲水性表面的硅片，而亲水性表面能够有效阻止污染物进入硅片内部，从而可以防止硅片受污染，继而提高了制得的硅片的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 边缘 剥离 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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