[发明专利]低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备及应用在审
| 申请号： | 202010392996.0 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111495362A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 杨晓龙;孙照丽;于建强;汪妍 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | B01J23/652 | 分类号： | B01J23/652;C07C45/38;C07C47/54 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 吴永伟 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及了光催化剂制备的技术领域，尤其公开了一种低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂的制备方法，该制备方法是将低钯金属锚连在表面含有大量氧缺陷的钼酸铋半导体上，以制备得到低钯金属锚连富表面氧缺陷的钼酸铋光催化剂。本发明制备得到的材料中钯含量极低，无团聚，可见光响应范围宽，催化活性相比纯钼酸铋、单纯富含表面氧缺陷的钼酸铋、钯负载于钼酸铋上的光催化剂显著提高，重复使用性能良好，且制备工艺简单，钯用量极少，条件温和，可控性好，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 锚连富 表面 缺陷 钼酸 光催化剂 制备 应用 | ||
【主权项】：
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