[发明专利]一种功率半导体器件及其边缘终端区结构和加工方法在审
| 申请号： | 202010393048.9 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111446290A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李燕;陈译 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/71 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 郭福利 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供一种功率半导体器件及其边缘终端区结构和加工方法，涉及功率半导体领域。该边缘终端区包括：背面金属电极层；N |
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| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 边缘 终端 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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