[发明专利]包括图像传感器芯片的半导体封装在审
申请号: | 202010395188.X | 申请日: | 2020-05-11 |
公开(公告)号: | CN112397533A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 金云培 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 纪雯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体封装可以包括:图像传感器芯片;透明基板,与图像传感器芯片间隔开;接合结构,在图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上与图像传感器芯片的顶表面和透明基板的底表面接触;以及电路基板,电连接到图像传感器芯片。图像传感器芯片可以包括:穿透电极,穿透图像传感器芯片的内部中的至少一部分;以及端子焊盘,位于图像传感器芯片的顶表面的边缘区域上并连接到穿透电极。接合结构可以包括:间隔物;以及粘合层,在间隔物与图像传感器芯片之间并与之相附接。接合结构可以与端子焊盘重叠。 | ||
搜索关键词: | 包括 图像传感器 芯片 半导体 封装 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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