[发明专利]单侧刻蚀偏差测量方法及设备在审
| 申请号： | 202010395638.5 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113724178A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 孟阳;王兴荣;王良;王伟斌;刘庆炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/13;G06T7/62 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单侧刻蚀偏差测量方法及设备，所述单侧刻蚀偏差测量方法包括基于同一坐标系的第一设计图案和第二设计图案，以及分别与所述第一设计图案和所述第二设计图案相对应的第一检测图案和第二检测图案；将所述第一检测图案定位于所述第一设计图案，将所述第二检测图案定位于所述第二设计图案；将所述第一检测图案和所述第二检测图案设置于同一坐标系。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 偏差 测量方法 设备 | ||
【主权项】：
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