[发明专利]一种制备电极孔的方法及计算机可读存储介质在审
| 申请号： | 202010395730.1 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111863610A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李海燕;邱国臣 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备电极孔方法及计算机可读存储介质，本发明通过在电极孔刻蚀后露出新鲜的半导体材料表面制备一层金属层，通过该金属层使得半导体材料表面不被空气、光刻胶沾污，同时也避免引入过多附加能级。也就是说，本发明通过金属打底层的制备，固化半导体材料表面状态，同时，也因为金属打底层的存在，可以进一步对电极孔底部与侧壁进行清洁处理，而不用担心清洗过程对半导体材料引入新的损伤，从而有效保证了电极孔表面的清洁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 电极 方法 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
