[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010396525.7 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111584485B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 马陆娟 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制作方法，采用第一光刻版刻蚀出第一类型晶体管的栅极结构，同时该栅极结构的两端与相应的隔离层之间具有间距，以栅极结构和隔离层为掩膜依次自对准地刻蚀出阱区和阱区中的构成源漏区的掺杂区，再采用光刻胶覆盖该第一类型晶体管的全部体区，维持第一类型晶体管的体区掺杂状态，再制作第二类型晶体管。本发明的半导体器件的制作方法在形成具有多种类型晶体管的半导体器件的同一种类型晶体管的制作步骤中，对同一种类型晶体管体区的制作仅需要一块光刻版，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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