[发明专利]一种大尺寸公斤级碳化硅单晶的制备方法有效
| 申请号： | 202010396973.7 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111424319B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王佳妹 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸公斤级碳化硅单晶的制备方法，包括：在坩埚底中心设置进气口，通入含硅和碳元素的原料气体和载流子气体；在坩埚上侧壁设置排气孔，坩埚顶的上盖无气孔，上盖内壁固定籽晶；加热所述坩埚，在所述坩埚底中心的进气口通入所述原料气体，在所述载流子气体的载动下向籽晶位置流动，同时所述原料气体进行化学反应，通过控制温度、压强、原料气体的浓度比及流量，所述化学反应产生碳化硅分子，并在所述籽晶表面沉积；所述反应副产物气体和未完全反应的原料气体在载流子气体的载动下通过所述的坩埚侧壁的排气孔排出；最终在所述籽晶处得到碳化硅晶体。成功解决了现有技术无法同时实现大尺寸、公斤级、高质量的碳化硅晶体的生长的问题，增大产出、降低成本、提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 公斤 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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