[发明专利]半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法有效
申请号: | 202010397100.8 | 申请日: | 2020-05-12 |
公开(公告)号: | CN111607783B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 刘皓 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/54;C23C16/44;H01L21/687 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体载具、半导体加工设备及吹扫方法,半导体载具包括载具本体,所述载具本体具有承托面,所述承托面用于承托被加工件,所述载具本体开设有进气孔,所述承托面开设有吹扫孔,所述进气孔与所述吹扫孔连通,所述进气孔配置为通入吹扫气体,所述吹扫孔配置为吹出所述吹扫气体,以吹扫用于取放所述被加工件的取放装置的表面。采用上述技术方案,可以解决目前取放装置在取片过程中可能沾染副产物而污染下一被加工件,导致被污染的被加工件在完成反应过程后出现多晶等缺陷,造成半导体等被加工件报废的问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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