[发明专利]一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法在审
| 申请号： | 202010398999.5 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111537539A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 卜腊菊;翟晨阳;鲁广昊 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N23/2273 | 分类号： | G01N23/2273 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用等离子体刻蚀测量聚合物亚层光电子能谱的方法，包括以下步骤：(1)将两块ITO玻璃衬底清洗，用氮气吹干，经紫外‑臭氧处理后，置于正辛基三氯硅烷溶液中修饰；(2)在经修饰的两块ITO玻璃衬底上制备聚合物薄膜，分别标记为薄膜1和薄膜2；(3)利用紫外光电子能谱仪检测聚合物薄膜1的紫外光电子能谱，利用低气压(20帕斯卡)氧等离子体刻蚀聚合物薄膜2并检测其紫外光电子能谱。本发明将低压氧等离子体刻蚀技术与紫外光电子能谱法相结合，检测聚合物半导体薄膜不同深度位置处的紫外光电子能谱，即亚层光电子能谱，并获得能级分布，有利于探索聚合物半导体薄膜性质与光电器件性能间的关系，在薄膜分析领域有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 刻蚀 测量 聚合物 光电子 方法 | ||
【主权项】：
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