[发明专利]一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法有效
| 申请号： | 202010400032.6 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111455453B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 孙德辉;陈玉客;王东周;王孚雷;刘齐鲁;桑元华;刘宏 | 申请（专利权）人： | 济南大学;济南量子技术研究院;山东大学 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B15/22;C30B29/30 |
| 代理公司： | 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 | 代理人： | 刘跃 |
| 地址： | 250000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 晶格 铌酸锂 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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