[发明专利]基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010400521.1 申请日: 2020-05-13
公开(公告)号: CN111640868B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 杨伟光;郭辉;陈伟;王聪;黄璐;崔星煜 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48;H01L51/00
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法,属于光电器件领域。本发明对钙钛矿薄膜的卤化铅前驱体溶液进行电子辐照后,再旋涂成前驱体薄膜,滴加甲胺碘溶液后,经过反应和退火得到改性后的钙钛矿薄膜并制备器件。本发明制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大,表面平整光滑,可以钝化界面,有效减少晶界效应,促进光子传化为电子的能力,从而降低器件的串联电阻,增大填充因子和光电转化效率。本发明方法工艺简单便捷,可重复性好,为大规模生产高性能钙钛矿薄膜光电器件提供了可行的方案,对器件性能提升显著。
搜索关键词: 基于 电子 辐照 改性 钙钛矿 薄膜 光电 器件 制备 方法
【主权项】:
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