[发明专利]基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010400726.X | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111540740B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 朱宝;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法。本发明公开的半浮栅存储器，是在浮栅晶体管内部同时嵌入pn结和肖特基二极管，分别作为电荷擦写的通道；pn结具有整流特性，即正向导通、反向截止，而且开启电压非常小；利用pn结作为电荷擦除的通道，可以极大提高擦除速度；肖特基二极管同样具有整流特性，而且开启电压也非常小；利用肖特基二极管作为电荷写入的通道，可以极大提高电荷写入速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 pn 肖特基 二极管 半浮栅 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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