[发明专利]化合物半导体异质结双极晶体管在审
| 申请号： | 202010401293.X | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN112242438A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 高谷信一郎 | 申请（专利权）人： | 高谷信一郎 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 李珊珊 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体异质结双极晶体管，包括发射区层及基区层的结构，在将赝晶生长InGaAs用于基区层的GaAsHBT中，降低在发射区层与基区层的界面产生的传导带能垒对作为功率放大器的特性的影响。第一发明中，将具有CuPt型秩序的InGaP用于发射区层。第二发明中，使赝晶生长InGaAs基区层的发射区层侧的部分的p型杂质浓度低于集电区层侧。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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