[发明专利]利用电子束曝光制备DFB-LD光栅调试样片的方法有效
| 申请号： | 202010402210.9 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111562723B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王岩;曲迪;黄翊东 | 申请（专利权）人： | 清华大学天津电子信息研究院 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01S5/12 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区中*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用电子束曝光制备DFB‑LD光栅调试样片的方法，属于微电子技术领域，包括：步骤一、在晶片上涂覆电子束胶；步骤二、将晶片进行前烘；步骤三、利用版图设计工具绘制DFB‑LD光栅调试版图；基于目标DFB‑LD光栅版图，在保持芯片单元与目标DFB‑LD光栅版图一致的前提下，DFB‑LD光栅调试版图在平行光栅方向上与目标DFB‑LD光栅版图一致，垂直光栅方向上从芯片单元间光栅对齐排列变化为阶梯状排列，阶梯交错间隔等于光栅沿栅线方向长度；步骤四、对所述晶片依次进行电子束曝光、显定影和坚膜。通过采用上述技术方案，本发明能够提高光栅截面观测样品的观测便利性及制备成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电子束 曝光 制备 dfb ld 光栅 调试 样片 方法 | ||
【主权项】：
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