[发明专利]一种沉积Al2在审

专利信息
申请号: 202010402959.3 申请日: 2020-05-13
公开(公告)号: CN111676500A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 孔令利;周海涛;贺瑞军;成亦飞 申请(专利权)人: 中国航发北京航空材料研究院
主分类号: C25D11/00 分类号: C25D11/00
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 陈宏林
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明是一种沉积Al2O3陶瓷层的方法,该方法通过对阴极微弧沉积预处理技术进行了优化,首次在钼或钽合金表面采用阴极微弧等离子体电解沉积技术制备Al2O3陶瓷层,Al2O3陶瓷在钼或钽合金表面原位生长,用于工作环境在1250℃以上的钼和钽合金制件起到物理隔离作用同时还能提高钼合金工装的耐氧化性,增加钼合金制件使用寿命的效果。该Al2O3陶瓷层具有均匀、致密、稳定性好的优点,进一步扩展了阴极微弧沉积技术的应用范围,同时本发明方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉、易于实现、效率高等优点,更适用于生产。
搜索关键词: 一种 沉积 al base sub
【主权项】:
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