[发明专利]存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 202010403424.8 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111415937B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王旭峰;于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器及其形成方法，存储器包括：基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；位于所述浮栅区上的浮栅极结构；位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅结构，所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触，且所述浮栅极结构和所述字线栅结构之间具有第一侧墙。所述存储器的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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