[发明专利]一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法在审
| 申请号： | 202010403729.9 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111584719A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 苏言杰;刘丕均;叶显柱 | 申请（专利权）人： | 南京晶碳纳米科技有限公司;南京微米电子产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京泰普专利代理事务所(普通合伙) 32360 | 代理人： | 窦贤宇 |
| 地址： | 210043 江苏省南京市江北新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米管/砷化镓异质结宽光谱超薄太阳能电池及其构筑方法，属于半导体光电器件技术领域。包括：下电极、N型砷化镓基底，位于砷化镓基底上带窗口的绝缘层，位于绝缘层窗口内与砷化镓直接接触的碳纳米管薄膜，设置在绝缘层表面碳纳米管薄膜上的图形化上电极。与现有技术相比，本发明可以同时利用碳纳米管与砷化镓对光子的高效吸收与转换特性，并通过所形成的异质结界面快速分离、输运，一方面大幅度降低了光生载流子复合几率，另一方面大大拓宽了砷化镓的响应光谱。本发明的太阳电池具有结构简单、工艺简便、轻薄等突出优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 砷化镓异质结宽 光谱 超薄 太阳能电池 及其 构筑 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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