[发明专利]一种增益型异质结紫外光电探测器

摘要

本发明公开了一种增益型异质结紫外光电探测器，包括衬底及生长于衬底之上的外延层；所述外延层自下而上依次包括成核层、非故意掺杂AlkGa1‑kN缓冲层、AlxGa1‑xN组分过渡层、非故意掺杂AlyGa1‑yN层、非故意掺杂AlzGa1‑zN层、非故意掺杂AlyGa1‑yN层、受主掺杂AlmGa1‑mN层以及分布于非故意掺杂AlzGa1‑zN层上的叉指型接触电极，其中Al组分x的起始值≤k，终止值为y；yz。通过受主掺杂AlmGa1‑mN层来耗尽非故意掺杂AlyGa1‑yN层与其上方非故意掺杂AlzGa1‑zN层异质结界面处的二维电子气，具有光暗拒绝比高、光电增益高、响应速度快的优点。