[发明专利]一种降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺在审
| 申请号： | 202010405571.9 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111809233A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘立中;王艺澄;严东 | 申请（专利权）人： | 江苏高照新能源发展有限公司;包头美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 212200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低位错的全熔高效铸造多晶生产工艺，（1）装料时，在坩埚底部撒碎多晶，碎多晶上铺装硅料原生多晶及单多晶回收料；（2）采用铸造多晶炉，隔热笼关闭高温熔化完成，以TC2温度快速上升为标志；（3）熔化完成后，5‑15分钟内快速提升隔热笼至12‑16cm；（4）熔化完成后，30‑90分钟内缓慢降低隔热笼至6‑12cm；（5）以一定时间步长分阶段缓慢提升隔热笼高度，在晶锭生长中后期，逐渐升温，完成晶体生长过程；（6）经过退火、冷却两个阶段，将晶锭取出再后续加工；本发明多晶晶锭下截断位置晶粒变小，增加晶界密度，良好的吸收位错增值，长晶中后期增加长晶温度，减缓长晶速率，降低晶体中因结晶潜热过多导致的位错增值，提高多晶硅片转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 高效 铸造 多晶 生产工艺 | ||
【主权项】：
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