[发明专利]一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料在审
| 申请号： | 202010406348.6 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111540786A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 杨雷;袁雪芹;张甲甲;刘孝武;刘仁勇;刘坤 | 申请（专利权）人： | 皖西学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/43;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 刘兵 |
| 地址： | 237012 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明涉及无机纳米材料技术领域，具体涉及一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料，所述二硫化钼纳米带的制备方法，包括以下步骤：在还原氛围的气流中，将硫氰酸盐置于所述气流的上游端，将钼酸盐置于所述气流的下游端，并在所述钼酸盐的上方悬空设置一衬底，接着在150～600℃下煅烧45‑90min。本发明采用气相沉积法在SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 场效应 晶体管 电极 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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