[发明专利]金属化合物及使用其制造半导体器件的方法在审
申请号: | 202010407574.6 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111943978A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 柳承旻;斋藤昭夫;小出幸宜;山下敦史;原野一树;朴圭熙;李沼姈;林载顺;曹仑廷 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;株式会社ADEKA |
主分类号: | C07F9/00 | 分类号: | C07F9/00;H01L51/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 金拟粲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料,其中M为Nb或Ta;R为取代或未取代的C3‑C10烷基;和X |
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搜索关键词: | 金属 化合物 使用 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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