[发明专利]一种降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺在审
| 申请号： | 202010408295.1 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111575790A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 邓碧鑫;刘茂;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/12 | 分类号： | C30B28/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺，包括以下步骤：S1、选取石英舟，并对其加工处理，以减少多晶沉积过程中粘连的面积，以及减少局部沉积量；S2、调整石英舟转速及沉积压力，以改善硅片与石英舟接触部位多晶生长引起的应力；S3、调整降舟速度，以缓慢释放硅片在冷却过程中产生的应力；S4、调整机械手取片速度，以降低因机械应力引发的崩边率。本发明所述的降低硅单晶片多晶气相沉积崩边率的工艺可以有效降低区熔硅单晶片在多晶气相沉积过程中的崩边率，采用普通工艺，在气相沉积过程中的崩边率为20％以上，而采用本专利工艺，崩边率仅为0.3‑1.0％，产品工序良率有明显提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 晶片 多晶 沉积 崩边率 工艺 | ||
【主权项】：
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